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SI6467DQ中文资料

SI6467DQ图片

SI6467DQ外观图

  • 大小：98.13KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：- 9.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 mOhms
  • 配置：Single Triple Drain Quad Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSSOP-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：15 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.3 W
  • 上升时间：15 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：210 ns

SI6467DQ供应商

更新时间:2023-01-02 05:39:33
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